ช่วงนี้มีเทคโนโลยี Storage ความเร็วสูงเกิดขึ้นใหม่อยู่เรื่อยๆ ในครั้งนี้ก็เป็นเรื่องราวของเทคโนโลยี Magnetoresistive Random-Access Memory หรือ MRAM ซึ่งมีความเร็วสูงกว่า NAND Flash ที่เราใช้งานกันอยู่ในปัจจุบันถึง 100 เท่าเลยทีเดียว ทางทีมงาน TechTalkThai ก็ขอหยิบยกเรื่องราวตรงนี้มาให้ทุกท่านได้อ่านกันดังนี้
Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) จาก Everspin
เทคโนโลยี Persistent Storage ที่มีความเร็วใกล้เคียงกับ RAM นั้นถูกพัฒนาขึ้นมาด้วยหลากหลายแนวทางจากผู้ผลิตหลากหลายค่าย MRAM เองก็เป็นหนึ่งในนั้น โดยหน้าตาของ MRAM นี้จะคล้ายคลึงกับแผงแรม DD3/DDR4 ที่เราเห็นทั่วไปกันในตลาด และสามารถเสียบเข้าไปใน Slot ของ RAM เพื่อทำหน้าที่เป็น Persistent Storage ความเร็วสูงได้นั่นเอง
สาเหตุที่เหล่าผู้ผลิตต้องมาผลิต Persistent Storage สำหรับติดตั้งบน DDR Interface นี้ ก็เพราะว่า DDR Interface นั้นอยู่ใกล้กับ CPU และมีความเร็วสูง โดยปัจจุบันนี้ DDR4 สามารถทำความเร็วได้สูงถึง 19,000 MBps รวมถึงยังสามารถทำการเขียนข้อมูลได้เร็วกว่า NAND Flash ทั่วๆ ไปถึง 100,000 เท่า ซึ่งเป็นตัวเลขที่ยากจะเทียบเคียงได้โดย External Storage หรือ Internal Storage ผ่าน Interface อื่นๆ
ปัญหาของ MRAM ในตอนนี้ก็คือ Everspin ยังคงผลิต MRAM ที่ความจุ 64-256MB ได้เท่านั้น และภายในปลายปีนี้ก็จะผลิต MRAM ความจุ 1GB ออกมา ซึ่งความจุระดับนี้ก็คงเหมาะจะใช้เพียงแค่ภายใน Application เฉพาะทางเท่านั้น จนกว่าจะมีรุ่นขนาดที่ใหญ่กว่านี้และราคาถูกกว่านี้ลงมา ซึ่ง Everspin ก็ตั้งเป้าเอาไว้ว่าจะผลิต MRAM ขนาด 6GB ออกมาให้ได้ โดยยังไม่มีกำหนดการ
โดยรวมแล้ว ตลาด Persistent Storage ช่วงนี้ถือว่าน่าสนใจมากครับ เพราะมีเทคโนโลยีใหม่ๆ เกิดขึ้นมาตลอด และแต่ละตัวก็ดูจะมีทิศทางที่น่าสนใจของตัวเองแตกต่างกันไป
ที่มา : https://www.techtalkthai.com/introduce- ... and-flash/
18/04/2016